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アルミニウム - ケイ素 - リン
炭素
[[周期表
>
一般特性
元素の名前順一覧 ケイ素, Si, 14
分類 半金属
元素の族>族, 元素の周期 14 (IVB), 第3周期元素
, モース硬度>硬度 2330 kg?m−3, 6.5
単体の 暗灰色
120px
原子特性
原子量 原子質量単位>u
原子半径 (計測値) ピコメートル>pm
共有結合半径 111 pm
ファンデルワールス半径>VDW半径 210 pm
電子配置 [ネオン>Ne]3s2 3p2
電子殻 2, 8, 4
酸化数酸化物 2, 4(両性酸化物
結晶構造 面心立方構造
物理特性
固体 (反磁性)
融点 ケルビン>K
(1414 摂氏
[[沸点 3538 K
(3265 ℃, 5909 °F)
モル体積 12.06 × 10−3 m3?mol−1
気化熱 384.22 kJ?mol−1
融解熱 50.55 kJ?mol−1
蒸気圧 パスカル>Pa (1687 K)
音速>音の伝わる速さ no data
その他
クラーク数 パーセント>%
電気陰性度 ライナス・ポーリング>ポーリング)
比熱容量 700 J?kg−1?K−1
導電率 -4 m−1?オーム>Ω−1
熱伝導率 148 W?m−1?K−1
イオン化エネルギー 第1: 786.5 kJ?mol−1
第2: 1577.1 kJ?mol−1
第3: 3231.6 kJ?mol−1
第4: 4355.5 kJ?mol−1
第5: 16091 kJ?mol−1
第6: 19805 kJ?mol−1
第7: 23780 kJ?mol−1
第8: 29287 kJ?mol−1
第9: 33878 kJ?mol−1
第10: 38726 kJ?mol−1
(比較的)安定同位体
同位体 天然存在比>NA 半減期 崩壊モード>DM 崩壊エネルギー>DE/メガ DP
28Si 92.23% 中性子14個で安定同位体
29Si 4.67% 中性子15個で安定
30Si 3.1% 中性子16個で安定 >
注記があらへん限り[[国際単位系使用及び標準状態下。
ケイ素(珪素、硅素、けいそ、Silicium )は原子番号14の元素であるんや。元素記号はSi地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品はどエライ重要な用途であるんや。
常温、常圧で安定な結晶構造は、ダイヤモンド構造。比重は 2.33、融点 1410 ℃(1420 ℃)、沸点は 2600 ℃(他に 2355 ℃、3280 ℃ちう実験値あり)。ダイヤモンド構造のケイ素は、1.12 eVバンドギャップ(実験値)をもつ半導体であるんや。こら非金属であるが、圧力(静水圧)を加えると、βスズ構造に構造相転移する。このβスズ構造のケイ素は金属であるんや。周期表においてすぐ上の元素は炭素やけど、その常温常圧での安定相であるグラファイト構造は、ケイ素においては安定な構造として存在できへん。

おーまかなトコ


地殻中にしこたま存在するため鉱物の構成要素として重要なんやし、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成しておる。これにはSi-O-Si結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれておる。
せやけどながら生物とんかかわりは薄く、知られておるんは、放散虫珪藻シダ植物イネ科植物やらなんやらにおいて二酸化ケイ素んかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあんまり判っておらへん。炭素とケイ素との化学的な類似から、SFやらなんやらではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定される事があるんや。
バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素リンやらなんやらの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることやらなんやらから、電子工学上重要な元素であるんや。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきたちうわけや。現在、ケイ素は 99.9999999999999% (15N) まで純度を高められはる。また、Si(111)基板はAFMSTMの標準試料としてよう用いられはる。

用途


赤外光学系


ケイ素は赤外域(波長 2 から 6 μm)で高い透過率があり、レンズや窓の素材に用いられはる。波長 4 μm の屈折率は 3.4255。

半導体


最も重要な用途としては、四塩化ケイ素やトリクロロシランやらなんやらから作られはる高純度ケイ素が半導体作成に用いられはることが挙げられはる。また、液晶ディスプレイTFT太陽電池にはアモルファスシリコンや多結晶シリコンやらなんやらが用いられはる。砒化ガリウム窒化ガリウムやらなんやらの化合物半導体の基板にシリコンを用いれば大幅な低価格化が可能なんやし、様々な研究が進められておる。

ケイ素含有合金


電気炉における製鉄材料として1トンあたり4キロ前後のケイ素が添加されるほか、ケイ素合金として製鉄脱酸素剤に用いられはる。そのほかに、ケイ素を混ぜた鋼板(ケイ素鋼板)は、うず電流による損失が少ななるため、変圧器に使われておる。アルミニウム工業の分野でもケイ素の合金が使われておる。また、鉛レス黄銅にも添加される。

ケイ素含有セラミックス類


ケイ素の酸化物(シリカ)を原料とするガラスは、その他で使われるほか、繊維状にしたグラスウール断熱材や吸音材としたかて用途があるんや。ゼオライトは、イオン交換体、吸着剤せやへんかったら、有機化学工業における触媒ともなっておる。シリカゲルとしては、どエライ利用しやすい乾燥剤になる。
炭化ケイ素は、耐火材や抵抗体として使われたり、高いモース硬度 (9.5) を持つために、研磨剤として使われる。その他のケイ素化合物として、アルミノケイ酸塩粘土に含まれ、陶器セメント煉瓦やらなんやらセラミックスと呼ばれる材料の主成分になっておるほか、カルシウム化合物を除去する働きから、の精製に使われるやらなんやらしておる。

ケイ酸塩・ケイ素樹脂


ケイ酸塩は、さまざまな形で地殻上に存在しとり、天然に存在するケイ素化合物のほとんどずぅぇえええぇぇええんぶが二酸化ケイ素およびケイ酸塩であるんや。工業的にも広く用いられ、ガラス、陶磁器やらなんやら、枚挙に暇があらへん。
アスベストは、繊維状のケイ酸塩鉱物なんやし、その耐薬品性や耐火性からよりどエライ昔は建材やらなんやらに広く用いられはったが、人体への悪影響が問題になりよったため、使用量は激減しておる。やまとではアスベストによる健康被害が社会問題となり、労災認定や健康被害を受けた国民に対しての補償問題、また、依然としてようけ残るアスベストの撤去に対しての問題を抱える。
有機基を有するケイ素二次元および三次元酸化物はシリコーンと呼ばれる。このもんは、優れた耐熱性、耐薬品性、低い毒性やらなんやらの有用な性質を示し、油状のもんはワックス、熱媒体、消泡剤やらなんやらに用いられはる。三次元シリコーンはゴム弾性を示し、ゴム状のもんはホースやチューブ、樹脂状のもんは塗料絶縁材、接着剤やらなんやら各種の用途に利用される。

製法


原料


工業用ケイ素の主原料はSiO2から成る二酸化ケイ素珪石珪砂、シリカとも)であるんや。やまと国内の埋蔵量は2億トンあるとされるが、アルミニウムと同様、酸化物から還元するには大量の電力を必要とするため、金属シリコンの状態になってから輸入するんが一般的であるんや。電力の安い国が金属シリコンの供給源となるため、これまで中国、ブラジル、ロシア、南アフリカ、ノルウェーやらなんやらが主要な供給国やったが、近年はオーストラリアマレーシアベトナムやらなんやらも注目されておるちう。
世界の二酸化ケイ素の埋蔵量は極めて潤沢なんやし、高純度のもんも世界に広く分布する。二酸化ケイ素#埋蔵量を参照。

精製


金属グレード(MG)シリコン
ケイ素の単体はカーボン電極を使用したアーク炉を用いて、二酸化ケイ素を還元して得る。この際、精製されたケイ素は純度99%程度のもんであるんや。
SiO2 + C → Si + CO2
SiO2 + 2C → Si + 2CO
高純度ポリシリコン
さらに純度を高めるには、塩素と反応させ四塩化ケイ素とし(ガス化)、これを蒸留して純度の高い製品を得る。
Si + 2Cl2 → SiCl4
SiCl4 + 2 H2 → Si + 4 HCl
半導体グレード(SEG)シリコン
集積回路やらなんやら半導体素子に使用する超高純度のケイ素(純度11N以上)は、上記の高純度シリコンからさらにFZ(フローティングゾーン)法やらなんやらのゾーンメルティングCz(チョクラルスキー)法やらなんやらの単結晶成長法による析出工程を経ることで製造される。ゾーンメルト法では融解帯に不純物が濃縮する過程を繰り返すことで高純度のケイ素を得る。Cz 法においては偏析を利用して高純度化するため、原料であるポリシリコン(多結晶珪素)にはどエライ純度の高いもんが要求される。半導体に利用するには基本的に結晶欠陥転位)のへん単結晶が必要やから、FZ 法においても Cz 法においても単結晶を回転させながら一旦細くし、転位を外に追い出した段階で結晶の径を大きくするっちうことによりきまったとこの大きさの結晶を得る。FZ 法は大口径化に向かいへんため、産業用に使用されておるシリコンウェーハの大部分は Cz 法によって製造されておる。現在製品化されておるシリコンウェーハの径は直径 300 mm までであるんや。
太陽電池グレード(SOG)シリコン
太陽電池にはSEGグレードほどの超高純度は必要なく、7N程度の純度で済み、また多結晶でもええ。このため上記の単結晶シリコンインゴットの端材やらなんやらが原料に利用されてきたが、需要の増大に伴い、専用の太陽電池グレード(ソーラーグレード)シリコンの生産法が開発されておる。手順としては上記の半導体グレードの精製工程を簡略化した方法のほか、下記のような手法が用いられはる。半導体グレードに比べ、使用するエネルギーやコストが数分の1以下になるとされる手法が多い(ソーラーグレードシリコンを参照)。
流動床炉(FBR)法:種結晶を気流で巻き上げながら、表面にシリコンを析出させる。
冶金法:金属グレードシリコンから冶金学的手法によって直接ソーラーグレードシリコンを製造する。
水ガラス化法:珪石(SiO2)を水ガラス化した状態で高純度化してから還元する。
NEDO溶融精製法:金属グレードシリコンを電子ビームやプラズマで溶融させて特定の不純物を除いたあと、一方向凝固させる。
ソーラーグレードシリコンは2006年頃には高純度シリコン市場の約半分を占め、今後もその割合は拡大すると見られておる。今後はソーラーグレードが高純度シリコン生産量の大部分を占め、半導体級は特殊品になっていくと予測されておる。また太陽電池用シリコン原料は2008年までは供給の逼迫で価格が高止まりしとったが、2009年からは価格の低下が予測されておる。

ケイ素化合物


同位体


関連項目


参考文献


山田興一小宮山宏「太陽光発電工学」ISBN 4-8222-8148-5
小長井誠「薄膜太陽電池の基礎と応用」ISBN 4-274-94263-5
志村史夫「半導体シリコン結晶工学」ISBN 4-621-03876-1

外部リンク


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